图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPB019N08N3 G |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 80V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 180A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.9 mOhm @ 100A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 270µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 206nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 14200pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 300W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16109?mpart=IPB019N08N3%20G&vendor=448&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
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